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100年 - 100 鐵路特種考試_高員三級_電力工程、電子工程:電子學#45808
> 申論題
題組內容
二、
⑴電路V
DD
= V
SS
=5 V,I
R
= 40 μA,μ
n
C
ox
= 40 μA /V
2
,μ
p
Co
x
= 20 μA /V
2
, 所有MOS W/L= 6.25, |λ| = 0.02 V
-1
,V
tn
= - V
tp
= 0.5 V,求電阻R=?(6 分)
相關申論題
⑴設MOS電晶體有相同轉導(transconductance)gm,ro=∞,圖中C 為僅需考慮之 電容,試繪製小訊號等效電路,推導A(s)=Vo/Vi。(8 分)
#154853
⑵圖中輸出端接回輸入端形成震盪器,試推導震盪頻率(f)以R,C等參數表示之 (6 分),設R=10 kΩ,欲使電路震盪,求MOS gm之臨界值。(6 分)
#154854
⑵v1 = -v2 = 0.5vid,求小訊號電壓增益vo/vid。(14 分)
#154856
⑴圖中OP為理想運算放大器,推導A(s) = Vo/Vi,並化簡為標準式 ,定出式中 Q 及 ω0 參數。(17 分)
#154857
⑴求BJT電晶體unity gain frequency fT。(6 分)
#154859
⑵求放大器中頻電壓增益AM=Vo/Vi。(8 分)
#154860
⑶試用米勒(Miller)定理求放大器高頻區 3dB頻率fH。(6 分)
#154861
⑴求電晶體直流電流ID(Q1),IC(Q2)。(6 分)
#154862
⑵求放大器中頻電壓增益AM=Vo/Vi。(10 分)
#154863
⑶求放大器輸入電阻Rin。(4 分)
#154864
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