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100年 - 100 鐵路特種考試_高員三級_電力工程、電子工程：電子學#45808
> 申論題
題組內容
四、BJT電晶體中頻β = 100，C
μ
= 2 pF，C
π
= 11 pF，KT/q= 25 mV， r
o
= ∞，R
S
= 1 kΩ，R
C
= 10 kΩ，R
L
= 10 kΩ。
⑶試用米勒（Miller）定理求放大器高頻區 3dB頻率f
H
。（6 分）
相關申論題
⑴設MOS電晶體有相同轉導（transconductance）gm，ro＝∞，圖中C 為僅需考慮之 電容，試繪製小訊號等效電路，推導A(s)=Vo/Vi。（8 分）
#154853
⑵圖中輸出端接回輸入端形成震盪器，試推導震盪頻率（f）以R，C等參數表示之 （6 分），設R=10 kΩ，欲使電路震盪，求MOS gm之臨界值。（6 分）
#154854
⑴電路VDD = VSS=5 V，IR = 40 μA，μnCox = 40 μA /V2，μpCox = 20 μA /V2， 所有MOS W/L= 6.25， |λ| = 0.02 V -1 ，Vtn = - Vtp = 0.5 V，求電阻R=？（6 分）
#154855
⑵v1 = -v2 = 0.5vid，求小訊號電壓增益vo/vid。（14 分）
#154856
⑴圖中OP為理想運算放大器，推導A(s) = Vo/Vi，並化簡為標準式 ，定出式中 Q 及 ω0 參數。（17 分）
#154857
⑴求BJT電晶體unity gain frequency fT。（6 分）
#154859
⑵求放大器中頻電壓增益AM＝Vo/Vi。（8 分）
#154860
⑴求電晶體直流電流ID(Q1)，IC(Q2)。（6 分）
#154862
⑵求放大器中頻電壓增益AM＝Vo/Vi。（10 分）
#154863
⑶求放大器輸入電阻Rin。（4 分）
#154864
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