五、如圖五所示為電阻負載式反相器電路,其中 R=1 kΩ、VDD=5.0 V、輸出 低電壓準位 VOL=0.6 V。而其中增強型(enhancement-type)nMOS 電晶 體有著下列的參數:VT0=1.0 V、γ =0.2 V1/2、λ=0、μnCox=22.0 μA/V2 。 試求:(每小題 10 分,共 20 分)