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半導體工程
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102年 - 102 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#39521
> 申論題
一、請繪出正三角形晶格（Lattice）之維格納-塞茨晶胞（Unit cell）。（10 分）
相關申論題
三、假設影響載子遷移率的散射因素只有三種，各單獨因素造成的載子遷移率分別為 1000, 500, 200 cm2/V-sec，請計算實際的載子遷移率。（10 分）
#117895
四、某半導體之能隙為 1 eV，p 型費米能階在價帶上方 0.3 eV，n 型費米能階在導帶下 方 0.1 eV，請畫出結合成 p-n 接面後的能帶圖，並標示接面處的電場方向。又內建 電位差（Build-in potential）是多少？（20 分）
#117896
五、請說明金氧半場效電晶體（MOSFET）的汲極電流-汲極電壓特性的線性區和飽和區 的形成原因。（10 分）
#117897
六、光學微影製程的解析度和焦距深度都和數值孔徑（Numerical aperture）有關，請以 圖示說明當數值孔徑增大時，解析度變好但是焦距深度變差的原因。（20 分）
#117898
七、電子束蒸鍍（E-beam evaporation）和濺鍍（Sputter deposition）的階梯覆蓋能力，何 者較佳？為甚麼？（10 分）
#117899
五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。（20 分）
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應？並說明此方法可能導致的副作用。（12 分）
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分）
#560350
(二)請計算 t =0 秒時準費米能階相對於本質費米能階的能量差，並在能帶圖上標示出來。（10 分）
#560349
(一)在 t =0 秒時，多數載子和少數載子的濃度各為多少？（10 分）
#560348
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