阿摩線上測驗
登入
首頁
>
半導體工程
>
96年 - 96 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#40380
> 申論題
申論題
試卷:96年 - 96 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#40380
科目:半導體工程
年份:96年
排序:0
申論題資訊
試卷:
96年 - 96 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#40380
科目:
半導體工程
年份:
96年
排序:
0
申論題內容
一、DRAM 記憶體單元是由一個電晶體與一個電容所組成。若記憶體面積為 1µ m
2
,且 電容具 4 nm 之 SiO
2
介電層,又工作電壓為 2V,請問有多少電子儲存在記憶體單元。 (SiO
2
介電常數:3.9)(10 分)