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申論題資訊

試卷:96年 - 96 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#40380
科目:半導體工程
年份:96年
排序:0

申論題內容

一、DRAM 記憶體單元是由一個電晶體與一個電容所組成。若記憶體面積為 1µ m2,且 電容具 4 nm 之 SiO2 介電層,又工作電壓為 2V,請問有多少電子儲存在記憶體單元。 (SiO2 介電常數:3.9)(10 分)