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半導體工程
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96年 - 96 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#40380
> 申論題
七、試比較傳統反應性離子蝕刻技術（RIE）與高密度電漿蝕刻（ICP）之不同。（10 分）
相關申論題
一、DRAM 記憶體單元是由一個電晶體與一個電容所組成。若記憶體面積為 1µ m2，且 電容具 4 nm 之 SiO2 介電層，又工作電壓為 2V，請問有多少電子儲存在記憶體單元。 （SiO2 介電常數：3.9）（10 分）
#124098
二、請說明兩種矽晶棒（Ingot）之製作方式，並比較其優缺點。（20 分）
#124099
三、Si 於電漿中被蝕刻是根據以下之反應：Si(s) + 2Cl2(g) → SiCl4(g)。若通入氯氣流量 為 100 sccm，請問理論之 200 mm 直徑之矽晶圓最大蝕刻率為多少？ （Si atom weight: 28.09，Density: 2.329 g/cm3）（15 分）
#124100
四、請說明常用之物理性鍍膜有那三類？試比較其優缺點。（15 分）
#124101
六、以 PN 二極體為例，說明其空間電荷形成之原因，並說明於何處其電場強度最大。 （20 分）
#124103
五、隨著技術節點持續微縮，曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降，至鰭式場效電晶體（FinFET）時代，如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。（20 分）
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應？並說明此方法可能導致的副作用。（12 分）
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體（MOSFET）的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。（8 分）
#560350
(二)請計算 t =0 秒時準費米能階相對於本質費米能階的能量差，並在能帶圖上標示出來。（10 分）
#560349
(一)在 t =0 秒時，多數載子和少數載子的濃度各為多少？（10 分）
#560348
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