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半導體工程
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103年 - 103 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#39515
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三、一個陡峭(abrupt)P
+
N 接面,N
A
= 10
19
/cm
3
、N
D
= 10
17
/cm
3
。求內建電位(built-in potential),以及未外接偏壓時的空乏區寬度(depletion width)。T = 300 K, k
B
= 8.62 ×10
-5
eV/K, n
i
= 1.45 ×10
10
/cm
3
, ε
Si
= 11.9, ε
0
= 8.854 ×10
-14
F/cm, q = 1.6 × 10
-19
C。 計算空乏區寬度時可忽略 P 邊的空乏區。(20 分)
其他申論題
⑴如果以「頁」為抽樣單位(考慮一頁中可能全頁均有打字或沒有打滿整頁的情 形),請問你會用何種抽樣方式來估計?(10 分)
#117852
⑵如果以「行」為抽樣單位,請問你會用何種抽樣方式來估計?(10 分)
#117853
一、Si 的晶體結構為鑽石結構,是由兩個面心立方結構所組成的。面心立方結構的正立 方體邊長,即晶格常數,為 5.43 Å。Si 的原子量為 28 克。求 Si 的鍵長、鍵角、原 子濃度與密度。(15 分)
#117854
二、何謂近似自由電子模型(nearly free electron model)?說明在此模型下電子能量 E 與波向量(wave vector)k 的關係、關係中所謂等效質量(effective mass)的物理意 義。同時也說明 E-k 關係的非拋物線性(non parabolicity)。(15 分)
#117855
四、一個 N+PN 雙極性電晶體,其射極與基極的雜質濃度分別為 ND 與 NA,電洞與電子 的擴散長度分別為 Lp 與 Ln,基極中性區的厚度為 W。若電晶體處於順向作用區 (forward active),基極中性區靠射極側的邊緣被注入的電子濃度為 np(0),而靠集 極側的電子濃度為 np0。假設電子的擴散長度 Ln>>W,電子的復合生命期為 τn、擴 散係數為 Dn。說明電子在基極中性區的傳導過程、分布的形式,並求電子貢獻的集 極電流密度 JC 以及基極電流密度 JB。(20 分)
#117857
五、說明離子佈植(ion implantation)的基本原理。以離子佈植植入雜質的方法與 擴散法比較有何優點?離子佈植後為何需要熱處理?說明離子佈植的通道效應 (channeling effect),舉出一種消除的方法。(15 分)
#117858
六、Si 的 SiO2 熱成長可用 Deal-Grove 模型來描述:tox2 + A tox = Bt,公式中 tox 為氧化層厚 度、t 為氧化時間、A 與 B 為相關之參數。以 1000˚C 做乾氧成長時,A = 0.165 μm、 B = 0.0117 μm2/hr。成長 10 小時,問 SiO2 的厚度。若 tox>>A,證明 SiO2 的成長速 率與 tox 成反比,並說明其物理意義。(15 分)
#117859
autochthonous rocks
#117860
allochthonous rocks
#117861
klippe
#117862