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103年 - 103 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#39515
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申論題
試卷:103年 - 103 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#39515
科目:半導體工程
年份:103年
排序:0
申論題資訊
試卷:
103年 - 103 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#39515
科目:
半導體工程
年份:
103年
排序:
0
申論題內容
三、一個陡峭(abrupt)P
+
N 接面,N
A
= 10
19
/cm
3
、N
D
= 10
17
/cm
3
。求內建電位(built-in potential),以及未外接偏壓時的空乏區寬度(depletion width)。T = 300 K, k
B
= 8.62 ×10
-5
eV/K, n
i
= 1.45 ×10
10
/cm
3
, ε
Si
= 11.9, ε
0
= 8.854 ×10
-14
F/cm, q = 1.6 × 10
-19
C。 計算空乏區寬度時可忽略 P 邊的空乏區。(20 分)