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申論題資訊

試卷:103年 - 103 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#39515
科目:半導體工程
年份:103年
排序:0

申論題內容

四、一個 N+PN 雙極性電晶體,其射極與基極的雜質濃度分別為 ND 與 NA,電洞與電子 的擴散長度分別為 Lp 與 Ln,基極中性區的厚度為 W。若電晶體處於順向作用區 (forward active),基極中性區靠射極側的邊緣被注入的電子濃度為 np(0),而靠集 極側的電子濃度為 np0。假設電子的擴散長度 Ln>>W,電子的復合生命期為 τn、擴 散係數為 Dn。說明電子在基極中性區的傳導過程、分布的形式,並求電子貢獻的集 極電流密度 JC 以及基極電流密度 JB。(20 分)