阿摩線上測驗
登入
首頁
>
半導體工程
>
111年 - 111 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#109458
> 申論題
申論題
試卷:111年 - 111 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#109458
科目:半導體工程
年份:111年
排序:0
申論題資訊
試卷:
111年 - 111 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#109458
科目:
半導體工程
年份:
111年
排序:
0
申論題內容
三、對於超高效率 III-V 多接面太陽能電池多以磊晶方式成長與製作而成, 請問何謂磊晶?(2 分)欲得高品質之磊晶膜首要條件為何?(2 分)於 多接面太陽能電池結構中,每個接面間須有何種結構?(2 分)請說明 其功能。(4 分)