申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：111年 - 111 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#109458
科目：半導體工程
年份：111年
排序：0

六、對於 p + n 二極體，其中 p⁺ 載子濃度為 N_A，n 載子濃度為 N_D。請問空乏區（W）主要發生在那一部分？（5 分）請寫出空乏區與載子濃度之關係式。（5 分）此說明可用何種電容量測方式分析載子濃度與 p + n 二極體相關之元件的那種特性？（10 分）