三、擬比較一個雙載子接面電晶體（Bipolar Junction Transistor）於不同放大器組態 （Amplifier Configuration）時之各種電路特性，請用 H（High，代表高），M （Medium，代表中），或 L（Low，代表低）填入下表各空白欄位。（每個欄位 2 分，共有 10 個欄位，總計 20 分）

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