申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：112年 - 112 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#115437
科目：半導體工程
年份：112年
排序：0

申論題內容

五、矽的 Deal-Grove 熱氧化模型公式：D² + A D = Bt，公式中 D 為氧化層厚度、t 為氧化時間、A 與 B 為參數。求氧化速率 dD/dt。由反應物在氧化層經由擴散到氧化層與矽介面進行氧化的模型來分別說明在 D＜＜A 與 D＞＞A 兩種狀況下，氧化層厚度與時間關係。（20 分）