有一種使用 TEOS（tetraethyl orthosilicate）為原料的電漿加強式化學氣相沉積（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）技術成長二氧化矽（SiO2）薄膜，請說明這種方法有什麼優點？（10 分）

由一 n 型矽半導體與金（Au）形成蕭特基接面（Schottky junction），假如金的功函數（work function）為 4.8 eV，矽的電子親和力（electron affinity）為 4.05 eV ，矽的能隙為 1.1 eV，矽的功函數為 4.15 eV，請計算此蕭特基接面的能障值（barrier height）與內建電位值（built-in potential）。（10 分）