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半導體工程
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103年 - 103 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#39513
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題組內容
三、
請說明 npn 雙極性接面電晶體（bipolar junction transistor，BJT）工作在什麼偏壓 條件下，它的有效中性基極（base）寬度會減少？這稱為什麼效應？又請說明工 作在什麼偏壓條件下，它的有效中性基極（base）寬度會增加？這稱為什麼效應？ （10 分）
其他申論題
請計算該半導體表面的單位面積所含的原子數目。（10 分）
#117835
一般 n 型半導體材料的電子濃度對溫度之關係圖可以分成三段區域，分別為低溫 的冷凍（freeze out）區域、中間溫度的外摻（extrinsic）區域與高溫的本質 （intrinsic）區域，各相鄰區域之間都有一轉折溫度值或轉折溫度範圍。對於電子 濃度為 1 × 10 14 cm -3、1 × 1016 cm -3與 1 × 1018 cm -3 的三個半導體材料，請繪出這 三個半導體材料的電子濃度對溫度之關係圖於同一個圖中。（10 分）
#117836
關於矽半導體的電子漂移速度（electron drift velocity）對電場的關係圖，可以分 成兩段區域，請分別說明在低電場（低於1 × 105 V/cm）與高電場（高於1 × 105 V/cm） 時電子漂移速度與電場的關係。（10 分）
#117837
由一 n 型矽半導體與金（Au）形成蕭特基接面（Schottky junction），假如金的功 函數（work function）為 4.8 eV，矽的電子親和力（electron affinity）為 4.05 eV ， 矽的能隙為 1.1 eV，矽的功函數為 4.15 eV，請計算此蕭特基接面的能障值 （barrier height）與內建電位值（built-in potential）。（10 分）
#117838
請說明製作白光發光二極體（LED）較常用的兩種方法。（10 分）
#117840
有一種使用 TEOS（tetraethyl orthosilicate）為原料的電漿加強式化學氣相沉積 （Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）技術成長二氧化矽（SiO2）薄膜 ，請說明這種方法有什麼優點？（10 分）
#117841
在矽的局部氧化（local oxidation of silicon，LOCOS）過程中，何謂鳥嘴（bird’s beak） 效應？它有什麼優點或缺點？（10 分）
#117842
請說明為什麼半導體在進行雜質擴散後，接著需要使用比較高的溫度或較長的時 間進行熱處理？（10 分）
#117843
⑴試求母體之 μ（population mean）及中位數 M（population median）。（5 分）
#117844
【已刪除】 ⑵對所有可能抽出之樣本組合，計算其 （sample mean）。 （sample mean）是否為 μ（population mean）的不偏估計量？（10 分） y
#117845
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