由一 n 型矽半導體與金（Au）形成蕭特基接面（Schottky junction），假如金的功函數（work function）為 4.8 eV，矽的電子親和力（electron affinity）為 4.05 eV ，矽的能隙為 1.1 eV，矽的功函數為 4.15 eV，請計算此蕭特基接面的能障值（barrier height）與內建電位值（built-in potential）。（10 分）

一般 n 型半導體材料的電子濃度對溫度之關係圖可以分成三段區域，分別為低溫的冷凍（freeze out）區域、中間溫度的外摻（extrinsic）區域與高溫的本質（intrinsic）區域，各相鄰區域之間都有一轉折溫度值或轉折溫度範圍。對於電子濃度為 1 × 10 14 cm -3、1 × 1016 cm -3與 1 × 1018 cm -3 的三個半導體材料，請繪出這三個半導體材料的電子濃度對溫度之關係圖於同一個圖中。（10 分）