關於矽半導體的電子漂移速度（electron drift velocity）對電場的關係圖，可以分成兩段區域，請分別說明在低電場（低於1 × 105 V/cm）與高電場（高於1 × 105 V/cm）時電子漂移速度與電場的關係。（10 分）

一般 n 型半導體材料的電子濃度對溫度之關係圖可以分成三段區域，分別為低溫的冷凍（freeze out）區域、中間溫度的外摻（extrinsic）區域與高溫的本質（intrinsic）區域，各相鄰區域之間都有一轉折溫度值或轉折溫度範圍。對於電子濃度為 1 × 10 14 cm -3、1 × 1016 cm -3與 1 × 1018 cm -3 的三個半導體材料，請繪出這三個半導體材料的電子濃度對溫度之關係圖於同一個圖中。（10 分）