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申論題資訊

試卷:103年 - 103 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#39513
科目:半導體工程
年份:103年
排序:0

題組內容

二、

申論題內容

關於矽半導體的電子漂移速度(electron drift velocity)對電場的關係圖,可以分 成兩段區域,請分別說明在低電場(低於1 × 105 V/cm)與高電場(高於1 × 105 V/cm) 時電子漂移速度與電場的關係。(10 分)