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半導體工程
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105年 - 105 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#54457
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題組內容
一、若有一 n 型半導體其熱平衡下之能帶圖(局部)如圖 1 所示,其長度為 L, n ( x = 0 ) = n
0
。
⑴求電位差 ΔV (= V ( L) - V (0)) 、電場強度分布 E(x)與以 n
0
、 L 與 ΔV 為參數表示之電 子濃度分布 n(x ) 。 (10 分)
其他申論題
⑶其目的為何?(10 分)
#202084
⑴其法令依據為何?(5 分)
#202085
⑵就個別辦理之案例,說明其審查 條件,變更編定為何種用地,其建蔽率、容積率為何?(15 分)
#202086
⑶您對此輔導政策 措施有何評論?(15 分)
#202087
⑵若將此 n 型半導體右端接地,左端外接一電壓源VA (= ΔV ) ,請繪出此 n 型半導體之 能帶圖並求淨電子電流密度分布 J n (x ) ,已知電子移動率(mobility)為 μ n 。 (15 分)
#202089
⑴請繪出此兩個元件於照光(光能量>矽能隙寬度)前與後的 I-V 特性曲線。
#202090
⑵比較兩個元件於照光下的 I-V 曲線,說明其不同處及造成兩者差異之原因。
#202091
⑴若汲極飽和電壓與飽和電流分別為 2.5 V 與 5 mA,請繪出汲極電壓範圍 0 ≤ Vds ≤ 5 V 之輸出特性曲線並求對應此曲線之閘極電壓Vgs 。
#202092
⑵求於Vds = Vgs = 4.5 V 偏壓下之汲極電流 I ds 以及於源極端與汲極端之單位面積反轉 層電荷量。
#202093
四、請敘述雙極性接面電晶體(BJT)擁有電流放大能力之主因。(15 分)
#202094