阿摩線上測驗
登入
首頁
>
半導體工程
>
105年 - 105 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#54457
>
題組內容
五、若以 SiO
2
為遮罩材料(開口尺寸為 3 μm × 3 μm )並採用 KOH 溶液分別蝕刻(100) 與(
)晶面矽基板。
⑵請說明何以得到此種蝕刻圖案之原因。 (5 分)
其他申論題
⑴若汲極飽和電壓與飽和電流分別為 2.5 V 與 5 mA,請繪出汲極電壓範圍 0 ≤ Vds ≤ 5 V 之輸出特性曲線並求對應此曲線之閘極電壓Vgs 。
#202092
⑵求於Vds = Vgs = 4.5 V 偏壓下之汲極電流 I ds 以及於源極端與汲極端之單位面積反轉 層電荷量。
#202093
四、請敘述雙極性接面電晶體(BJT)擁有電流放大能力之主因。(15 分)
#202094
⑴請繪出蝕刻深度為 0.707 μm 時所得蝕刻圖形的剖面圖(須標示蝕刻圖形之尺寸、 蝕刻面及角度)(15 分) 。
#202095
一、說明土壤有機質在園藝生產上之重要性,以及有機質組成。(25 分)
#202097
二、果樹除正常產期外,可以利用那些方法來打破芽體休眠達到調節產期目的?(25 分)
#202098
三、發根劑主要有那些成分,說明其配製方法。(25 分)
#202099
四、敘述非農藥防治園藝作物病蟲害有那些方法?(25 分)
#202100
⑴流量延時曲線(Flow Duration Curve)
#202101
⑵最大可能洪水(Probable Maximum Flood)
#202102