題組內容

三、一理想金氧半場效電晶體，臨界電壓V_th = 1 V，介電層（MOSFET）（SiO₂）厚度 10 nm， SiO₂ 介電係數 3.9ε ₀ ， ε ₀ = 8.854 ×10⁻¹⁴F/cm 。（每小題 10 分，共 20 分）

⑵求於V_ds = V_gs = 4.5 V 偏壓下之汲極電流 I _ds以及於源極端與汲極端之單位面積反轉層電荷量。