申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：108年 - 108 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#76899
科目：半導體工程
年份：108年
排序：0

題組內容

七、假設以熱氧化製程形成二氧化矽（SiO 2 ），其相關參數值表列如下：（每小題 10 分，共 20 分）

申論題內容

⑴試求 1 莫耳（mole）矽及 1 莫耳二氧化矽所占的體積分別為？

詳解 (共 1 筆)

詳解提供者：hchungw