題組內容

六、具有 n-型通道金屬-氧化物-半導體接面場效電晶體（MOSFET） ，其相關 參數如下： 通道長度 L = 1.25 μm、電子遷移率 μn = 650 cm2/V-s、閘極氧化層電容 Cox = 6.9 × 10-8 F/cm2、臨界電壓 VT = 0.65 V。在閘-源極偏壓 VGS = 5 V 之下，試求： （每小題 5 分，共 10 分）

⑵已知汲極飽和電流 ID（sat）= 4 mA，試求電晶體之通道寬度 W = ？