申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：108年 - 108 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#76899
科目：半導體工程
年份：108年
排序：0

題組內容

六、具有 n-型通道金屬-氧化物-半導體接面場效電晶體（MOSFET），其相關參數如下：通道長度 L = 1.25 μm、電子遷移率 μn = 650 cm²/V-s、閘極氧化層電容 Cox = 6.9 × 10^-8 F/cm²、臨界電壓 VT = 0.65 V。在閘-源極偏壓 VGS = 5 V 之下，試求：（每小題 5 分，共 10 分）

申論題內容

⑵已知汲極飽和電流 ID（sat）= 4 mA，試求電晶體之通道寬度 W = ？