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申論題資訊

試卷:101年 - 101 專利商標審查特種考試_三等_電子工程:電子學#44612
科目:電子學
年份:101年
排序:0

題組內容

二、如圖為一共源(Common source)放大器,該NMOS電晶體之臨限電壓(Threshold voltage)Vt = 1 V,gm = 1 mA/V,不計輸出電阻,即ro →∞,I = 1 mA,VDD = 15 V, Rsig = 100 kΩ,RG = 1 MΩ,RD = 10 kΩ,RL = 10 kΩ。

申論題內容

⑵求電壓增益Av ≡ vo/vi及Gv ≡ vo/vsig的值(視各C為短路)。(6 分)