三、如圖電路，Q
n與Q
p均為增強型MOS電晶體，其臨界電壓V
tn = |V
tp| = 1 V，其輸出電 阻r
o均為∞。當工作於飽和區（Saturation Region）之汲極電流i
Dn與i
Dp分別為： i
Dn = 0.5 × (V
GS − V
tn)
2(mA)：此V
GS為Q
n之V
GS。 V
DD i
Dp = 0.5 × (V
SG − |V
tp|)
2(mA)：此V
SG為Q
p之V
SG。 V
DD = 8 V，V
G = 3 V。
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