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半導體工程
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106年 - 106 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#62477
> 申論題
三、一操作在主動區之正負正雙載子電晶體(p
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-n-p bipolar transistor),畫出射極(emitter)、 基極(base)、汲極(collector)區之少數載子分布圖。(20 分)
相關申論題
一、假如一半導體均勻照光時有一均勻之載子產生速率 G,在穩態下,求半導體電導(σ) 之改變量 Δσ。(20 分)
#249483
二、對一純矽塊樣本,由一邊摻雜施體(donor),其濃度分布為 ND = Noexp(-ax),ND >> ni , 在平衡狀態下,推演內建電場 E(x)。若 a = 1 μm -1,計算內建電場 E(x)。(ni為矽之本 質濃度)。(20 分)
#249484
四、有兩個金氧半(MOS)元件除氧化層厚度不同外特性相同,高頻電容-電壓量測產生 之電容最大值與最小值之比值為 4 與 2,根據這些數據,計算氧化層厚度比。矽介電 常數 εs為 11.9εo,氧化層介電常數 εox為 3.9εo,真空之介電常數為 εo。(20 分)
#249486
⑴熱氧化法生長二氧化矽膜,使用濕氧化法或乾氧化法之生長速率何者較高?(4 分)
#249487
⑵使用乾氧化法生長二氧化矽膜,初期生長之膜厚與時間之關係為何?在二氧化矽 膜初期生長時,(111)或(100)之矽晶圓上之生長速率何者較高?(8 分)
#249488
⑶使用乾氧化法生長一定厚度二氧化矽膜後,生長之膜厚與時間之關係為何?在二氧 化矽膜具一定厚度時,(111)或(100)之矽晶圓上之生長速率何者較高?(8 分)
#249489
五、隨著技術節點持續微縮,曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降,至鰭式場效電晶體(FinFET)時代,如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。(20 分)
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應?並說明此方法可能導致的副作用。(12 分)
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體(MOSFET)的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。(8 分)
#560350
(二)請計算 t =0 秒時準費米能階相對於本質費米能階的能量差,並在能帶圖上標示出來。(10 分)
#560349
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