106年 - 106 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#62985

科目：半導體工程 | 年份：106年 | 選擇題數：0 | 申論題數：9

試卷資訊

所屬科目：半導體工程

選擇題 (0)

申論題 (9)

一、請說明影響半導體移動率（Mobility）的兩種主要機制，並說明這兩種機制對半導體的溫度效應。（10 分）

【已刪除】

二、二極體（Diode）的理想順偏電流對電壓（I-V）特性為下圖中的曲線(a)。若有兩顆二極體分別具有下圖中順偏電流對電壓曲線(b)和(c)，請說明這兩顆二極體分別具有什麼特性？（10 分） phpXdoIH8

三、對於雙極性電晶體而言，何謂「貫穿效應（Punch Through Effect）」？它會對電晶體造成什麼影響？（10 分）

四、雙極性電晶體工作在高集極電流（I_C）下，請說明此電晶體在什麼情況下會出現科克效應（Kirk Effect）與準飽和效應（Quasi-Saturation）？（10 分）

⑴空乏型場效電晶體（Depletion-Type Field-Effect Transistor），

⑵加強型場效電晶體（Enhancement-Type Field-Effect Transistor），⑶高電子遷移率場效電晶體（High-Electron-Mobility Transistor, HEMT）。（15 分）

六、對於金屬-氧化層-半導體的場效電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）而言，何謂「氧化層充電（Oxide Charging）」？它對長通道與短通道的場效電晶體分別會造成什麼影響？（15 分）

七、什麼是準費米能階（Quasi-Fermi Level）？它和費米能階（Fermi Level）有什麼不同？（10 分）

八、在積體電路製造技術中，採用的絕緣技術有局部氧化（Local Oxidation of Silicon, LOCOS）和淺溝槽絕緣（Shallow Trench Isolation, STI），請分別說明局部氧化與淺溝槽絕緣的製作技術、缺點與應用在那一種線寬製程？（20 分）