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申論題

試卷：106年 - 106 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#62985
科目：半導體工程
年份：106年
排序：0

申論題資訊

試卷：106年 - 106 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#62985
科目：半導體工程
年份：106年
排序：0

申論題內容

八、在積體電路製造技術中，採用的絕緣技術有局部氧化（Local Oxidation of Silicon, LOCOS）和淺溝槽絕緣（Shallow Trench Isolation, STI），請分別說明局部氧化與淺溝 槽絕緣的製作技術、缺點與應用在那一種線寬製程？（20 分）