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半導體工程
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106年 - 106 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#62985
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題組內容
五、請分別說明下列 n-型通道元件的臨界電壓（Threshold Voltage，V
th
）之定義，並說明其 臨界電壓為正值或負值：
⑴空乏型場效電晶體（Depletion-Type Field-Effect Transistor），
其他申論題
一、請說明影響半導體移動率（Mobility）的兩種主要機制，並說明這兩種機制對半導體 的溫度效應。（10 分）
#251382
【已刪除】二、二極體（Diode）的理想順偏電流對電壓（I-V）特性為下圖中的曲線(a)。若有兩顆 二極體分別具有下圖中順偏電流對電壓曲線(b)和(c)，請說明這兩顆二極體分別具有 什麼特性？（10 分）
#251383
三、對於雙極性電晶體而言，何謂「貫穿效應（Punch Through Effect）」？它會對電晶體 造成什麼影響？（10 分）
#251384
四、雙極性電晶體工作在高集極電流（IC）下，請說明此電晶體在什麼情況下會出現科克 效應（Kirk Effect）與準飽和效應（Quasi-Saturation）？（10 分）
#251385
⑵加強型場效電晶體（Enhancement-Type Field-Effect Transistor），⑶高電子遷移率場 效電晶體（High-Electron-Mobility Transistor, HEMT）。（15 分）
#251387
六、對於金屬-氧化層-半導體的場效電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）而言，何謂「氧化層充電（Oxide Charging）」？它對長通道與短通道的場 效電晶體分別會造成什麼影響？（15 分）
#251388
七、什麼是準費米能階（Quasi-Fermi Level）？它和費米能階（Fermi Level）有什麼不同？ （10 分）
#251389
八、在積體電路製造技術中，採用的絕緣技術有局部氧化（Local Oxidation of Silicon, LOCOS）和淺溝槽絕緣（Shallow Trench Isolation, STI），請分別說明局部氧化與淺溝 槽絕緣的製作技術、缺點與應用在那一種線寬製程？（20 分）
#251390
一、土壤蒸氣萃取法（soil vapor extraction, SVE）是臺灣地區最常用於加油站土壤污染整 治的方法之一，請繪圖說明本方法之原理。（20 分）
#251391
二、由有機態氮排入水體中開始，繪圖並說明水體中氮化合物化學型態之轉變。某水樣 之總凱式氮 8.5 mg/L、NO2-N 65.8 μg/L、NO3-N 15.0 mg/L，則其總氮濃度（mg/L） 為何？（20 分）
#251392
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