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半導體工程
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106年 - 106 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#62985
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題組內容
五、請分別說明下列 n-型通道元件的臨界電壓(Threshold Voltage,V
th
)之定義,並說明其 臨界電壓為正值或負值:
⑵加強型場效電晶體(Enhancement-Type Field-Effect Transistor),⑶高電子遷移率場 效電晶體(High-Electron-Mobility Transistor, HEMT)。(15 分)
其他申論題
【已刪除】二、二極體(Diode)的理想順偏電流對電壓(I-V)特性為下圖中的曲線(a)。若有兩顆 二極體分別具有下圖中順偏電流對電壓曲線(b)和(c),請說明這兩顆二極體分別具有 什麼特性?(10 分)
#251383
三、對於雙極性電晶體而言,何謂「貫穿效應(Punch Through Effect)」?它會對電晶體 造成什麼影響?(10 分)
#251384
四、雙極性電晶體工作在高集極電流(IC)下,請說明此電晶體在什麼情況下會出現科克 效應(Kirk Effect)與準飽和效應(Quasi-Saturation)?(10 分)
#251385
⑴空乏型場效電晶體(Depletion-Type Field-Effect Transistor),
#251386
六、對於金屬-氧化層-半導體的場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)而言,何謂「氧化層充電(Oxide Charging)」?它對長通道與短通道的場 效電晶體分別會造成什麼影響?(15 分)
#251388
七、什麼是準費米能階(Quasi-Fermi Level)?它和費米能階(Fermi Level)有什麼不同? (10 分)
#251389
八、在積體電路製造技術中,採用的絕緣技術有局部氧化(Local Oxidation of Silicon, LOCOS)和淺溝槽絕緣(Shallow Trench Isolation, STI),請分別說明局部氧化與淺溝 槽絕緣的製作技術、缺點與應用在那一種線寬製程?(20 分)
#251390
一、土壤蒸氣萃取法(soil vapor extraction, SVE)是臺灣地區最常用於加油站土壤污染整 治的方法之一,請繪圖說明本方法之原理。(20 分)
#251391
二、由有機態氮排入水體中開始,繪圖並說明水體中氮化合物化學型態之轉變。某水樣 之總凱式氮 8.5 mg/L、NO2-N 65.8 μg/L、NO3-N 15.0 mg/L,則其總氮濃度(mg/L) 為何?(20 分)
#251392
三、湖泊依其營養狀態可分為貧養、中養及優養三種,試述其特徵分別為何?目前行政 院環境保護署採用之判斷指標及其意義為何?(20 分)
#251393