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半導體工程
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106年 - 106 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#62985
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六、對於金屬-氧化層-半導體的場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)而言,何謂「氧化層充電(Oxide Charging)」?它對長通道與短通道的場 效電晶體分別會造成什麼影響?(15 分)
相關申論題
一、請說明影響半導體移動率(Mobility)的兩種主要機制,並說明這兩種機制對半導體 的溫度效應。(10 分)
#251382
三、對於雙極性電晶體而言,何謂「貫穿效應(Punch Through Effect)」?它會對電晶體 造成什麼影響?(10 分)
#251384
四、雙極性電晶體工作在高集極電流(IC)下,請說明此電晶體在什麼情況下會出現科克 效應(Kirk Effect)與準飽和效應(Quasi-Saturation)?(10 分)
#251385
⑴空乏型場效電晶體(Depletion-Type Field-Effect Transistor),
#251386
⑵加強型場效電晶體(Enhancement-Type Field-Effect Transistor),⑶高電子遷移率場 效電晶體(High-Electron-Mobility Transistor, HEMT)。(15 分)
#251387
七、什麼是準費米能階(Quasi-Fermi Level)?它和費米能階(Fermi Level)有什麼不同? (10 分)
#251389
八、在積體電路製造技術中,採用的絕緣技術有局部氧化(Local Oxidation of Silicon, LOCOS)和淺溝槽絕緣(Shallow Trench Isolation, STI),請分別說明局部氧化與淺溝 槽絕緣的製作技術、缺點與應用在那一種線寬製程?(20 分)
#251390
五、隨著技術節點持續微縮,曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降,至鰭式場效電晶體(FinFET)時代,如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。(20 分)
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應?並說明此方法可能導致的副作用。(12 分)
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體(MOSFET)的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。(8 分)
#560350
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