108年 - 108 身心障礙特種考試_四等_電力工程：電子學概要#75728

一、如圖一所示電路，其中MOSFET電晶體的特性μ _n C_OX = 300 μA/V ²，W/L = 20， V_A = 50 V，此電路之Q點偏壓，讓其 I _D = 0.25 mA，R_D = 10 kΩ，R_G = 5 MΩ， R_sig = 500 kΩ，其負載電阻R_L = 10 kΩ，假設C_C1，C_C2，C_S皆無窮大，求輸入 阻抗R_in =？輸出阻抗R_O =？開路電壓增益A_vo =？全電路電壓增益（overall V voltage gain）， G_v = O ＝？（20分） 

二、如圖二所示電路，其中 BJT 電晶體的特性 β = 120 ， γ _O = 400 kΩ ， 又 C_μ = 1 pF ，又 C_C1，C_C2，C_E 皆無窮大，R_sig = 10 kΩ，R₁ = 66 kΩ，R₂ = 44 kΩ， R_E = 4 kΩ，R_C = 5 kΩ，V_CC = 5 V，R_L = 5 kΩ，直流偏壓電流 I_E = 0.3 mA，假 設 f_T = 900 MHz，求 f_H（3 dB 頻率）=？（20 分） 圖二

五、請將 之函數以 Dynamic MOS logic circuits 之型式，畫出其電路圖，並說明其工作原理。（20 分）