申論題

爾利電壓（Early Voltage）是在電晶體等效模型中描述輸出特性的一個重要參數。接下來，我們分別討論其在雙極性接面電晶體（BJT）和金氧半場效電晶體（MOSFET）中的表現。

雙極性接面電晶體（BJT）
產生原因：
BJT的集極電流與集極-基極電壓（V_CB）有關。當集極-基極電壓增加時，基區寬度會減小，導致集極電流增加。這一增加的集極電流與集極-基極電壓的關係被稱為爾利效應，爾利電壓是描述這一關係的參數。

等效電路模型的影響：
在BJT的等效模型中，爾利效應通常透過在集極和基極之間加入一個受控源來描述。由於集極電流與集極-基極電壓的關係，增加爾利電壓會使得輸出阻抗降低，這可能影響放大器的輸出電壓和增益。

金氧半場效電晶體（MOSFET）
產生原因：
在MOSFET中，爾利電壓通常描述漏極電流與漏極-源極電壓（V_DS）之間的關係。當漏極-源極電壓增加時，通道長度會因為通道長度調變效應（channel length modulation）而減小，導致漏極電流增加。這種增加的漏極電流與漏極-源極電壓的關係可以由爾利電壓描述。

等效電路模型的影響：
在MOSFET的等效模型中，通道長度調變效應通常透過增加一個受控源來描述。增加爾利電壓會導致輸出阻抗降低，進而影響放大器的輸出電壓和增益。

總結，爾利電壓在BJT和MOSFET中的作用都是描述輸出特性與集極-基極電壓或漏極-源極電壓之間的關係。這一效應會使得輸出阻抗降低，可能影響電路的增益和其他性能。在等效模型中，通常透過加入受控源來描述這一效應。