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申論題資訊

試卷:108年 - 108 身心障礙特種考試_四等_電力工程:電子學概要#75728
科目:電子學
年份:108年
排序:0

申論題內容

一、如圖一所示電路,其中MOSFET電晶體的特性μ n COX = 300 μA/V 2,W/L = 20, VA = 50 V,此電路之Q點偏壓,讓其 I D = 0.25 mA,RD = 10 kΩ,RG = 5 MΩ, Rsig = 500 kΩ,其負載電阻RL = 10 kΩ,假設CC1,CC2,CS皆無窮大,求輸入 阻抗Rin =?輸出阻抗RO =?開路電壓增益Avo =?全電路電壓增益(overall V voltage gain), Gv = O 5cbed2d3c3d20.jpg=?(20分) 5cbed2e4a11b7.jpg