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108年 - 108 身心障礙特種考試_四等_電力工程:電子學概要#75728
> 申論題
五、請將
之函數以 Dynamic MOS logic circuits 之型式,畫出其電路圖,並說明其工作原理。(20 分)
相關申論題
一、如圖一所示電路,其中MOSFET電晶體的特性μ n COX = 300 μA/V 2,W/L = 20, VA = 50 V,此電路之Q點偏壓,讓其 I D = 0.25 mA,RD = 10 kΩ,RG = 5 MΩ, Rsig = 500 kΩ,其負載電阻RL = 10 kΩ,假設CC1,CC2,CS皆無窮大,求輸入 阻抗Rin =?輸出阻抗RO =?開路電壓增益Avo =?全電路電壓增益(overall V voltage gain), Gv = O =?(20分)
#305511
二、如圖二所示電路,其中 BJT 電晶體的特性 β = 120 , γ O = 400 kΩ , 又 Cμ = 1 pF ,又 CC1,CC2,CE 皆無窮大,Rsig = 10 kΩ,R1 = 66 kΩ,R2 = 44 kΩ, RE = 4 kΩ,RC = 5 kΩ,VCC = 5 V,RL = 5 kΩ,直流偏壓電流 IE = 0.3 mA,假 設 fT = 900 MHz,求 fH(3 dB 頻率)=?(20 分) 圖二
#305512
三、在雙極性接面電晶體(BJT)和金氧半場效電晶體(MOSFET)的特性, 其爾利電壓(early voltage)若存在,請分別說明在雙極性接面電晶體(BJT) 和金氧半場效電晶體(MOSFET)是什麼原因產生爾利電壓?請分別說明 這現象對雙極性接面電晶體(BJT)和金氧半場效電晶體(MOSFET)之 等效電路模型有何影響?(20 分)
#305513
四、請以雙埠網路(two port network)及其輸入、輸出之電壓、電流等式之參 數(parameters)變化,來說明單向(unilateral)電路的特性。(20 分)
#305514
6. 已知下圖疊接放大電路之MOSFET參數K₁=K₂=0.5mA/V²,靜態汲極電流ID為0.5mA,則電路之gm為?
#566892
5. 如圖所示電路,Vi=3.77cos377tV,R=100kΩ,C=1μF,電容電壓初值為零,則輸出電壓Vo為?
#566891
4. 如圖所示電路,若運算放大器具理想特性且Vo=12V,試求電流源I1為?
#566890
3. 如圖所示主動式帶通濾波器,其高頻截止頻率為fH,低頻截止頻率為fL,若C₂=5C₁,R₂=4R₁,則fH/fL為?
#566889
2. 如圖所示電路,假設電源電壓VDD=20V,VSS=-20V,且工作點設置於VGS=-1V,VDS=9V,ID=7mA,汲極電阻RD值約為?
#566888
二、填充題1. 如圖所示電路,若電晶體的切入電壓VBE為0.7V且電阻15kΩ消耗150μW,試求該電晶體的β值為________。
#566887
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