試題詳解

試卷：114年 - 11600 電力電子乙級工作項目 05：電子學 51-85（2025/12/12 更新）#134846 | 科目：技檢◆電力電子-乙級

試卷資訊

試卷名稱：114年 - 11600 電力電子乙級工作項目 05：電子學 51-85（2025/12/12 更新）#134846

年份：114年

科目：技檢◆電力電子-乙級

複選題
73. 下列關於金氧半場效應電晶體（MOSFET）特性敘述，哪些正確？
(A)N通道增強型之閘源極電壓（V_GS）需大於臨界電壓（V_T）才能導通電流
(B)閘源極電壓（V_GS）為零時，增強型比起空乏型結構上少了通道
(C)P 通道增強型之臨界電壓（V_T）正值
(D)N 通道空乏型之夾止電壓（V_P）為負值。

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