複選題73. 下列關於金氧半場效應電晶體（MOSFET）特性敘述，哪些正確？ (A)N通道增強型之閘源極電壓（VGS）需大於臨界電壓（VT）才能導通電流 (B)閘源極電壓（VGS）為零時，增強型比起空乏型結構上少了通道 (C)P 通道增強型之臨界電壓（VT）正值 (D)N 通道空乏型之夾止電壓（VP）為負值。