14.有一 p 型通道之金氧半場效電晶體，其臨界電壓為–0.3V，而源極電壓與基體（body）電壓均為 5V，閘極電壓為 3V，請問下列何者汲極電壓可使電晶體操作在飽和區（saturation）？ (A) 3V (B) 3.5V (C) 4V (D) 4.5V