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26. 下列敘述何者非屬npn雙極接面電晶體(BJT)的特性？
(A)雙載子元件
(B)集極接面崩潰電壓＞射極接面崩潰電壓
(C)當作數位邏輯電路使用時，ON/OFF信號分別應操作於工作區(Active)/截止區(Cut-Off)
(D)操作於飽和區(Saturation)時，BE、BC接面皆應保持順向偏壓
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統計： A(7), B(41), C(203), D(15), E(0) #2109871
統計： A(7), B(41), C(203), D(15), E(0) #2109871
詳解 (共 3 筆)
hchungw
#5193379
npn雙極接面電晶體(BJT)
雙載子元件
集極接面崩潰電壓＞射極接面崩潰電壓
操作於飽和區(Saturation)時，BE、BC接面皆應保持順向偏壓
NPN型電晶體是兩種類型雙極性電晶體的其中一種，由兩層N型摻雜區域和介於二者之間的一層P型摻雜半導體（基極）組成。輸入到基極的微小電流將被放大，產生較大的集極-射極電流。當NPN型電晶體基極電壓高於射極電壓，並且集極電壓高於基極電壓，則電晶體處於順向放大狀態。在這一狀態中，電晶體集極和射極之間存在電流。被放大的電流，是射極注入到基極區域的電子（在基極區域為少數載子），在電場的推動下漂移到集極的結果。由於電子移動率比電洞遷移率更高，因此現在使用的大多數雙極性電晶體為NPN型。
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