110年 - 110 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機(一)、電機(二)、儀電：1.電路學 2.電子學#103646

6. 某電路如下圖所示，電流 I 為多少安培？ (A) 1 A (B) 0.5 A (C) 0.1 A (D) 0 A

7. 試求下圖所示的直流電路中，跨於 20 歐姆的電阻器兩端之電壓為多少？ (A) 150 V (B) 100 V (C) 90 V (D) 80 V

8. 有關理想電壓源的敘述，下列何者正確？ (A)電流恆定 (B)輸出為電感型 (C)內阻為零 (D)輸出為電容性

9. 如下圖所示電路，其中的電流 I 為何？ (A) 10 A (B) 5 A (C) 2 A (D) 1 A

10. 如下圖所示，電路中的 V₁、V₂電壓為何？ (A) V₁ = 4.5 V、V₂ = 0.5 V (B) V₁ = 1.5 V、V₂ = 3.5 V (C) V₁ = 0.5 V、V₂ = 0.5 V (D) V₁ = 3.5 V、V₂ = 1.5 V

11. 試求下圖中雙埠網路的 Y 參數，之值為何？ (A) 1/3、2/3 (B) 1/3、-2/3 (C) -1/3、2/3 (D) -1/3、-2/3

12. 試求右圖中雙埠網路的 Z 參數，之值為何？ (A) -1/3、-5/3 (B) -5/3、1/3 (C) 5/3、-1/3 (D) 1/3、5/3

13. 兩個電容 C1、C2 並聯，其等效電容為下列何者？ (A) C₁ C₂ / (C₁ + C₂) (B) (C₁ + C₂) / C₁ C₂ (C) C₁ + C₂ (D) C₁C₂

14. 下列何種元件的儲存能量與電壓平方成正比？ (A)電感 (B)電容 (C)電阻 (D)二極體

15. A 電容器為 40 微法拉，耐壓 500 伏特；B 電容器為 60 微法拉，耐壓 100 伏特；C 電容器為 120 微法拉，耐壓 200 伏特，將以上三個電容器串聯後耐壓為多少伏特？ (A) 300 (B) 400 (C) 500 (D) 600

16. 一個 10 微法拉電容器以 30 微安培之定電流源充電，若電容器充電前電壓為零，則充電 20 秒後電容器上的電壓為多少伏特？ (A) 60 (B) 30 (C) 20 (D) 10

17. 一個 200 微法拉電容器已充電至 100 V，且電容器開關切開之瞬間電壓 V(0−) = 100 V，請問電容器儲存能量與 V(0+ ) 為何？ (A) 0.1 J、200 V (B) 1 J、100 V (C) 10 J、200 V (D) 10 J、100 V

18. 若下圖中之電感電路已達穩態，試求全部電感之總儲存電能為何？ (A) 9.5 J (B) 7.5 J (C) 5.5 J (D) 3.5 J

19. 一個元件的電壓及電流分別為 10cos(3t + 30°) 伏特與 -2sin(3t + 60°) 安培，其相位關係相差多少度？ (A) 100° (B) 110° (C) 120° (D) 130°

20. 已知 f(t) 的拉普拉斯轉換為，請問 f(t)為下列何者？ (A) (B) (C) (D)

21. 三相負載每相阻抗皆為 6 + j8 歐姆且為 Y 接線，若每相之相電流為 20 安培(有效值)，則此三相負載消耗之總平均功率為多少瓦特？ (A) 3000 W (B) 4900 W (C) 7200 W (D) 8100 W

22. 一個平衡的三相電路在其 Y 型連接之負載側所量得的線電壓均方根 (RMS) 值為 173.2 V，若此三相負載之總消耗實功率為 300 W，且負載的功因為 0.6 滯後，則流入此三相負載的線電流有效值為多少安培？ (A) 1.667 A (B) 1.333 A (C) 0.962 A (D) 0 A

23. 有關 RLC 並聯諧振電路，下列敘述何者有誤？ (A)諧振時阻抗最大 (B)諧振時功率因數為 1 (C)諧振時電流最大 (D)諧振時呈電阻性

24. 有關右圖所示之諧振電路，其諧振頻率下列何者正確？ (A) 1592 kHz (B) 2592 kHz (C) 3592 kHz (D) 4592 kHz

25. 針對一個阻抗大小為 j20 歐姆的負載，若通以一電流源 i(t) = 10cos(3t + 30°) 安培時，其所消耗之平均實功率為多少？ (A) 2000 W (B) 1000 W (C) 600 W (D) 0 W

26. 若一齊納二極體 (Zener Diode) 在 25 ℃ 時崩潰電壓為 15 V，溫度係數為 0.02 % / ℃，若溫度上升至 60 ℃，求崩潰電壓為何？ (A) 15.235 V (B) 15.2 V (C) 15.135 V (D) 15.105 V

27. 下列何者不是二極體常見的功用？ (A)濾波 (B)保護 (C)整流 (D)截波

28. 對一 PN 二極體施加逆向偏壓，有關逆向飽和電流 Is 的敘述何者有誤？ (A)逆向偏壓時會產生極小的逆向飽和電流 (約 ) (B) Is 由少數載子數量控制 (C)溫度越高，會下降 (D) Junction 面積增加會使上升

29. 有關 NPN 接面之 BJT 電晶體，下列敘述何者有誤？ (A)基極-射極、基極-集極接面皆施予順向偏壓，電晶體將工作於飽和區 (B)當基極電流逐漸下降為 0，電晶體將進入截止區 (C)在飽和區工作之電晶體，若持續對基極-集極增加順向偏壓，增益參數 β 會上升 (D)一般 BJT 之電壓增益參數 β 會隨著接面溫度上升而增加

30. 如右圖之電路，假設，BJT Q₁、Q₂、Q₃的電流增益 β 均為 100 ，，且厄利電壓 (Early Voltage) ，求的電阻值為多少？ (A) 13.51 MΩ (B) 23.51 MΩ (C) 33.51 MΩ (D) 43.51 MΩ

31. 如下圖之 JFET 共源極放大器電路，若時，反向漏電流，由信號源看入之輸入阻抗為何？ (A) 30 MΩ (B) 15 MΩ (C) 14.15 MΩ (D) 3.75 MΩ

32. 對一 MOSFET 以一固定的電壓操作於飽和區，在時，，且時，，請問其厄利電壓 (Early Voltage) |VA| 為多少？ (A) 70 V (B) 76 V (C) 80 V (D) 86 V

33. 下列何種邏輯閘具有最短的傳遞延遲時間？ (A) ECL (B) CMOS (C) TTL (D) N-MOS

34. 在積體電路中，NMOS 的基體端應與下列何者相接? (A)汲極 (Drain) (B)最低電壓點 (C)源極 (Source) (D)最高電壓點

35. FET 場效電晶體相較於 BJT 電晶體的特性敘述，下列何者有誤？ (A) FET 是單極性裝置 (B) FET 具有高電流驅動能力 (C) FET 可作為對稱性的雙向開關 (D) FET 較無雜訊產生

36. 對基本放大器增加負回授後，下列特性敘述何者有誤？ (A)雜訊對電路的影響降低 (B)頻寬增加 (C)放大器的增益會衰減 (D)增益與頻寬的乘積提高

37. 由 CMOS FET 組成傳輸閘 (Transmission Gate) 時，組成元件為下列何者？ (A)只有 NMOS (B)只有 PMOS (C) NMOS + PMOS (D) JFET

38. 有一差動放大器，其兩輸入電壓分別為，共模拒斥比 CMRR = 40 dB ，差模增益，則下列何者正確？ (A)差模輸入電壓 (B)共模增益 (C)共模輸入電壓 (D)輸出電壓

39. 如下圖所示電晶體電路，假設輸入信號為交流小信號且無直流成分，又電晶體的可忽略，則右圖之輸入電阻為何？ (A) (B) (C) (D)

40. 如下圖所示電路，已知 FET 參數 gm = 1 mS，rd = 20 kΩ，若此電路具回授 (Feedback) 的狀態，下列敘述何者有誤？ (A)此為串串 (series- series) 回授型態 (B)回授因子 (Feedback factor) β 為 0.47 kΩ (C)開迴路增益 (Open loop gain) A 為 0.66 mA / V (D) 為 -10