所屬科目：國營事業◆1.電路學 2.電子學
1. 如右圖所示之電路圖，試求 I 值為何？(A) 3 A (B) 4 A(C) 5 A (D) 6 A
2. 如右圖所示之電路圖，下列敘述何者正確？ (A) I1 = 2 A (B) I2 = 1 A (C) Vb = 60 V (D) Vab = 30 V
3. 如右圖所示之電路圖，試求Vx 值為何？(A) -7.4 V (B) -9.6 V(C) -12.4 V (D) -15.6 V
4. 如右圖所示之電路圖，試求 I 值為何？(A) 2 A (B) -2A(C) 5 A (D) -5 A
5. 如右圖所示之電路圖，當 S 閉合經 20 毫秒後，試求 IC 值為何？(A) 0 A (B) 1 A(C) 1.5 A (D) 3 A
6. 一串聯電路，若通入電源電壓 v(t) = 100sin(377t ＋ 30o ) V，產生之電流 i(t) = 80cos(377t － 90 o ) A ，則電路組成元件為何？ (A) R-L串聯電路 (B) R-C串聯電路 (C)純電阻電路 (D)不一定
7. 已知正弦波發電機 P = 4，轉速為 1500 rpm，請問其輸出頻率 f 值為何？(A) 40 Hz (B) 50 Hz (C) 60 Hz (D) 70 Hz
8. 有兩顆規格皆為 120 V、60 W的燈泡，將其串聯後，連接到 120 V的電源上，請問每顆燈泡實際消耗的電功率為何？ (A) 15 W (B) 30 W (C) 45 W (D) 60 W
9. 假設一拉氏函數為，試求反拉氏轉換之 f(t) 值為何？(A) e-3t(3 cos(2t) - sin(2t)) (B) e3t(3 cos(2t) - sin(2t) )(C) e-3t(3 cos(4t) -sin(4t) ) (D) e-3t(3 cos(2t) + sin(2t) )
10. 兩磁耦合線圈自感分別為50 mH與 200 mH，若兩線圈間的互感為M = 60 mH，試求耦合係數 k 值為何？ (A) 0.55 (B) 0.60 (C) 0.65 (D) 0.75
11. 對於平衡三相∆連接負載，有關線電壓(VL)、相電壓(VP)、線電流(IL)、相電流(IP)之間的關係，下列敘述何者正確？(A) VL = VP 且 IL = IP (B) VL = VP 且 IL = IP(C) VL = VP 且 IL = IP (D) VL = VP 且 IL = IP
12. 三相發電機供應 380 V的電源電壓給一平衡三相Y接負載，此負載消耗的平均功率為 5.2 kW，功率因數為 0.8，試求此負載的線電流(IL)為何？ (A) 8.5 A (B) 9.87 A (C) 11.25 A (D) 13.68 A
13. 一 RLC 串聯交流電路，已知電阻 R = 50 Ω，電感 L = 20 mH，若該電路連接到一個角頻率 ω = 1000 rad/s 的交流電源後，電路恰好發生諧振，試求電容 C 值為何？ (A) 10 µF (B) 20 µF (C) 50 µF (D) 100 µF
14. 導線甲的長度是導線乙的 2 倍，直徑也是導線乙的 2 倍，若兩導線外加相同電壓，則導線甲消耗的功率是導線乙消耗功率的幾倍？ (A) 1/4 (B) 1/2 (C) 2 (D) 4
15. 某交流電路的瞬時電壓與瞬時電流分別為 v(t) = 120sin(377t ＋ 10° ) V 及i(t) = 10sin(377t － 50°) A ，試求此電路的最大瞬時功率 Pmax 值為何？ (A) 600 W (B) 900 W (C) 1200 W (D) 1500 W
16. 一電路之電源電壓為 v(t) = 100sin(2000t) V，串聯一電阻 R = 6Ω 與一電感 L = 4 mH，下列敘述何者正確？(A)總平均功率P = 800 W (B)總虛功率Q = 600 VAR(C)視在功率S = 500 VA (D)功率因數PF = 0.6
17. 如右圖所示之電路圖，試求 Rab 值為何？(A) 8 Ω (B) 9 Ω(C) 10 Ω (D) 12 Ω
18. 關於電路的敘述，下列何者有誤？ (A)純電容或純電感元件組成的理想電路，其功率因數(PF)為 0 (B) R-L-C 串聯電路中，若增加電感值，可達到提高品質因數 (C) R-L-C 並聯電路，當電路發生諧振時，其功率因數(PF)為 1 (D) R-L 串聯電路中，適當串聯電阻元件，在不改變電源電壓及頻率的條件下，可有效提高功率因數
19. 如右圖所示之電路圖，試求 Z 值為何？(A) 5∠45° Ω (B) 5∠45° Ω(C) 5∠30° Ω (D) 5∠30° Ω
20. R-L並聯電路之總阻抗為 20 ＋ j10 Ω，當電源頻率變為原本的 1/2 倍時，試求總阻抗變為何？(A) 25∠45° Ω (B) 50∠45° Ω (C) 25∠45° Ω (D) 50∠45° Ω(E)一律給分
21. 一台電動機額定值(輸出功率)為 3 HP(馬力)，效率為 75 %，若取用電源為 220 V，則輸入電動機的電流為何？(A) 7.6 A (B) 10.2 A (C) 13.6 A (D) 18.1 A
22. 某一交流電路元件上的瞬間功率可表示為 p(t) = 150 ＋ 250cos(314t ＋ 45o)，關於此交流電路性質，下列敘述何者正確？(A)一個週期內的平均功率為 400 W (B)最大瞬間功率為 150 W(C)電源頻率約為 60 Hz (D)一個週期內所消耗的平均功率為 150 W
23. 有一電感 L = 40 mH，流經其之電流 iL(t) = 10sin(500t － 10o) A，試求此電感之電抗值為何？(A) 10 Ω (B) 20 Ω (C) 40 Ω (D) 50 Ω
24. 三個電阻串聯後連接一直流電源，已知電阻比 R1：R2：R3 = 1：4：10，若 R3 = 50 Ω，其消耗功率為100 W，則 R2 消耗多少功率？ (A) 30 W (B) 40 W (C) 50 W (D) 60 W
25. 某電器由單相 150 V之電源供電，若其電阻 R = 50 Ω，則該電器每小時消耗之能量為多少度電？(A) 0.45 (B) 0.6 (C) 0.75 (D) 0.9
26. 在一並聯共振電路中，共振頻率 fr = 2 MHz，有效 Q 值 Qe = 200，試求此一電路之頻寬 BW為多少 Hz？(A) 0.5 (B) 200 (C) 1500 (D) 10000
27. 如右圖所示之偏壓電路中，若電晶體操作在作用區，且其 VBE = 0.7 V，β = 150，試求 Ic 值為何？ (A) 2 mA (B) 3 mA (C) 4 mA (D) 5 mA
28. 若一個雙極性電晶體(BJT)在主動區操作模式下，射極電流為 4.05 mA，基極電流為 0.05 mA，則其 β 值為何？(A) 80 (B) 90 (C) 100 (D) 105
29. 如右圖所示之電路，假設電流源為理想，且 VT = 25 mV，試求Vo⁄Vi值為何？(A) 0.3(B) 0.5(C) 0.7(D) 0.9
30. 下列何者為達靈頓電路之特點？(A)輸入阻抗低 (B)輸出阻抗高 (C)電壓增益高 (D)電流增益高
31. 對直接耦合(direct-coupling)放大器而言，下列敘述何者正確？(A)低頻響應較佳，工作點較穩定 (B)高頻和低頻響應皆佳，工作點穩定(C)低頻響應較佳，工作點較不穩定 (D)高頻響應較差，工作點較不穩定
32. 如右圖所示之 FET 電路，若汲極靜態電流為 0.3 mA，試求VGS 值為何？(A) 1.5 V(B) 3 V(C) 4.5 V(D) 6 V
33. 如右圖所示之電路，某 NPN雙極性接面電晶體(BJT)工作在截止區(cutoff)，已知電路之電源電壓 VCC = 10 V，下列敘述何者正確？(A) VCE = 0 V(B) VCE = 5 V(C) VCE = 7.5 V(D) VCE = 10 V
34. 某場效電晶體之導電參數K= 5mA/V2，若直流工作點的汲極電流為 5mA，試求互導 gm值為何？(A) 5 mS (B) 10 mS (C) 15 mS (D) 20 mS
35. 在積體電路中，電流源常又具下列何種功用？(A)主動負載 (B)被動負載 (C)緩衝區 (D)整流器
36. 如右圖所示之電路，Q1 與 Q2 具相同特性，若 RD = 4 kΩ，VDD = 10 V，I = 2 mA，則電壓 VO 值為何？(A) 2 V(B) 6 V(C) 8 V(D) 10 V
37. 一電晶體放大器能將輸入功率放大後輸出至負載，其輸出的功率來自下列何者？(A)電晶體自行產生 (B)放大器的其他電阻元件(C)輸入訊號供應主要功率 (D)供應放大器工作的直流電源
38. 如右圖所示之運算放大器電路，若電壓增益 A 為無限大，試求輸出電壓vO值為何？(A) 3 V(B) -3 V(C) 6 V(D) -6 V
39. 如右圖所示之共射極放大器，假設電晶體之 gm = 50 mA/V，β = 50，試求 vo⁄vi 值為何？(A) -25(B) -50(C) -75(D) -100
40. 使用非反相放大器之韋恩電橋(Wien-Bridge)振盪電路，若要產生振盪，則回授網路相移角度為何？(A) 0° (B) 60° (C) 120° (D) 180°
41. 已知 NPN 電晶體的 VBE = 0.7 V，VCE = 2.5 V，則此電晶體操作在哪個區域？(A)工作區 (B)飽和區 (C)截止區 (D)崩潰區
42. 三角波信號產生電路可以應用施密特(Schmitt)觸發電路與下列何種電路來組成？(A)微分器電路 (B)比較器電路 (C)隨耦器電路 (D)積分器電路
43. 關於正回授電路之特性，下列敘述何者正確？(A)產生週期性訊號 (B)增加系統頻寬 (C)降低雜訊干擾 (D)增加系統穩定度
44. 如右圖所示，有一方波產生電路，如果此電路中所有的電阻值都變成原來的 2倍，則輸出訊號的週期將變成原先的多少倍？ (A) 1/4 (B) 2 (C) 4 (D) 8
45. 如右圖所示之電路，其功能為何？(A) NMOS反相器(B) PMOS反相器(C) CMOS反相器(D) BJT反相器
46. 若溫度每增高 10 °C，矽二極體的逆向飽和電流 Is 值會增為 2 倍，則當溫度增高 40 °C 時， Is 會增為多少倍？ (A) 4倍 (B) 8倍 (C) 16倍 (D) 32倍
47. 對 MOSFET 而言，當 VGS = 0 時，下列何者有通道存在？(A)增強型PMOSFET (B)增強型NMOSFET (C)增強型CMOSFET (D)空乏型NMOSFET
48. 與 BJT 電路比較，有關 CMOS 電路的特性，下列敘述何者有誤？(A)交換速率較快(B)雜訊免除佳(C)消耗功率小(D)製作容易，價格較低
49. 一個無穩態多諧振盪器的輸出波型，一般屬於下列何者？(A)方波 (B)三角波 (C)脈波 (D)正弦波
50. 右圖所示之放大器電路中的電容 CS主要功能為何？(A)提升電壓增益 (B)提升輸入阻抗(C)頻率補償 (D)提升高頻 3dB 截止頻率
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(A) 3 A (B) 4 A(C) 5 A (D) 6 A
(A) I1 = 2 A (B) I2 = 1 A (C) Vb = 60 V (D) Vab = 30 V
(A) -7.4 V (B) -9.6 V(C) -12.4 V (D) -15.6 V
(A) 2 A (B) -2A(C) 5 A (D) -5 A
(A) 0 A (B) 1 A(C) 1.5 A (D) 3 A
，試求反拉氏轉換之 f(t) 值為何？(A) e-3t(3 cos(2t) - sin(2t)) (B) e3t(3 cos(2t) - sin(2t) )(C) e-3t(3 cos(4t) -
sin(4t) ) (D) e-3t(3 cos(2t) + sin(2t) )
VP 且 IL = IP (B) VL = VP 且 IL = IP(C) VL = 
VP 且 IL = 
IP (D) VL = VP 且 IL = 
IP
sin(2000t) V，串聯一電阻 R = 6Ω 與一電感 L = 4 mH，下列敘述何者正確？(A)總平均功率P = 800 W (B)總虛功率Q = 600 VAR(C)視在功率S = 500 VA (D)功率因數PF = 0.6
(A) 8 Ω (B) 9 Ω(C) 10 Ω (D) 12 Ω
(A) 5∠45° Ω (B) 5
∠45° Ω(C) 5∠30° Ω (D) 5
(A) 2 mA (B) 3 mA (C) 4 mA (D) 5 mA
(A) 0.3(B) 0.5(C) 0.7(D) 0.9
(A) 1.5 V(B) 3 V(C) 4.5 V(D) 6 V
(A) VCE = 0 V(B) VCE = 5 V(C) VCE = 7.5 V(D) VCE = 10 V
(A) 2 V(B) 6 V(C) 8 V(D) 10 V
(A) 3 V(B) -3 V(C) 6 V(D) -6 V
(A) -25(B) -50(C) -75(D) -100
(A) 1/4 (B) 2 (C) 4 (D) 8
(A) NMOS反相器(B) PMOS反相器(C) CMOS反相器(D) BJT反相器
(A)提升電壓增益 (B)提升輸入阻抗(C)頻率補償 (D)提升高頻 3dB 截止頻率