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112年 - 112 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試試題_電機、儀電：1.電路學 2.電子學#116960

科目：國營事業◆1.電路學 2.電子學 | 年份：112年 | 選擇題數：50 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：國營事業◆1.電路學 2.電子學

選擇題 (50)

1. 如右圖所示之電路圖，若 Vx = -25 V，請問 α 值為何？
(A) 0.5 (B) 0.6 (C) 0.7 (D) 0.8

2. 如右圖所示之電路圖，請問 i1 與 V1 值分別為何？
(A) i1 = 25 μA、V1 = -2 V (B) i1 = 30 μA、V1 = -3 V (C) i1 = 15 μA、V1= 3 V (D) i1 = 25 μA、V1 = 2 V

3. 如右圖所示之基本理想電路元件電路圖，在 t ＜ 0 時， Vሺtሻ 及 i(t) 皆 為 0，在 t<0時，分別為 V(t)= 75 -75e-1000t(V)及 i(t) = 50e-1000t(mA) ，請問供輸至電路的最大功率(Pmax)發生於何時？ (A) t = 0.183 ms (B) t = 0.397 ms (C) t = 0.465 ms (D) t = 0.693 ms
4. 有一電感器為 2 H，初始電流為 20 A，請問儲存於電感器中之初始能量為何？ (A) 100 J (B) 200 J (C) 400 J (D) 800 J

5. 如右圖所示之電路圖，若 i1 = 4 A，請問 R 值為何？
(A) 1.2 Ω (B) 1.6 Ω (C) 2.5 Ω (D) 3.2 Ω

6. 如右圖所示之電路圖，請問 Vo值為何？
(A) 5 V (B) 15 V (C) 20 V (D) 25 V

7. 如右圖所示之電路圖，請問 V 值為何？
(A) 10 V (B) 15 V (C) 25 V (D) 35 V

8. 如右圖所示之電路圖，若 Vs = 50 V，請問 i1 值為何？
(A) 3 A (B) 4 A (C) 5 A (D) 6 A

9. 如右圖所示之電路圖，若利用迴路電流分析法(Mesh Current Analysis)，請問 VΦ 與 ia值分別為何？
(A) VΦ = 20 V、ia = 15 A (B) VΦ = 25 V、ia = 15 A (C) VΦ = 15 V、ia = 10 A (D) VΦ = 20 V、ia = 10 A

10. 如右圖所示之電路圖，Vs = 2∠0° V，ω = 106 rad/s，R1 = 5 kΩ，R2 = 100 kΩ，R3= 20 kΩ， C1 = 0.1 nF，C2 = 0.01 nF，請問 Vo值為何？
(A)  Vo = 7.56cos(106t +  79.09°) V (B)  Vo = 8.46cos(106t +  36.17° )V (C)  Vo = 9.26cos(106t  + 53.16° ) V (D)  Vo = 10.87cos(106t + 45°) V

11. 如右圖所示之電路圖，請問戴維寧等效電壓(Vth)與電阻(ܴRth) 分別為何？
(A) Vth = 20 V、ܴRth = 25 Ω (B) Vth = 40 V、ܴRth = 20 Ω (C) Vth = 30 V、ܴRth = 25 Ω (D) Vth = 30 V、ܴRth = 20 Ω
12. 有一反向放大器輸入電壓為 Vs，增益為 -12，且使用 േ15 V 電源，若使該反向放大器能維持在線性區，請問 Vs 範圍為何？ (A) Vs ≥ 1.25 V (B) Vs ≥ 1.25 V或 Vs ≤ -1.25 V (C) Vs ≥ 15 V或 Vs ≤ -15 V (D) Vs ≤ -1.25 V
13. 有關理想的運算放大器，下列敘述何者有誤？ (A)輸出電阻無限大 (B)開迴路增益無限大 (C)輸入電阻無限大 (D)輸出電阻為零
14. 請問 RL 電路之時間常數(τ)為何？ (A) L / R (B) R / L (C) R ൈ L (D) R + L

15. 如右圖所示之電路圖，流經電感器 L1(5H) 及 L2(20H) 之初始電流分別為 i1 = 8 A 及 i2 = 4 A， 且 i3 流經 10 Ω，若在 t = 0 時扳開開關，請問 t≥ 0 時 i3 值為何？
(A) 1.64e-2t A (B) 2.42e-2t A (C) 3.6e-2t A (D) 5.76e-2t A
【已刪除】

16. 如右圖所示之電路圖，若 i1 = 10 mA，請問 R 值為何？
(A) 2 kΩ (B) 3 kΩ (C) 4 kΩ (D) 5 kΩ(E)一律給分

17. 請問下列何者為 RLC 並聯電路特徵方程式？ (A) (B)(C) (D)

18. 如右圖所示之電路圖，開關已扳開許久，在 t = 0 時開關閉合，請問 t≥0 時之 V(t) 值為何？
(A) 15e-50t V (B) 15e-12.5t V (C) 20e-12.5t V (D) 20e-50t V

19. 有一 RLC 並聯電路，R = 200 Ω，L = 50 mH，C = 0.2 μF，請問該電路之納頻率(Neper Frequency，α) 及諧振弳頻率(Resonant Radian Frequency，ω0)分別為何？(單位：rad / s) (A) α = 2.5 × 103 、ω0 = 2 ×108 (B) α = 2.5 × 103 、ω0 = 2 × 104 (C) α = 1.25 × 104 、ω0 = 108 (D) α = 1.25 × 104 、ω0 = 104

20. 如右圖所示之電路圖，開關已在 a 位置許久，在 t = 0 的瞬間由 a 位置扳到 b 位置，請問 i、V1 及 V2 在 s 域中之有理函數分別為何？
(A) i = 0.02 / (s + 1600)、V1 = 80 / (s + 1600)、V2 = 20 / (s + 1600) (B) i = 0.2 / (s + 1600)、V1 = 8 / (s + 1600)、V2 = 2 / (s + 1600) (C) i = 0.02 / (s + 1250)、V1 = 80 / (s + 1250)、V2 = 20 / (s + 1250) (D) i = 0.02 / (s + 1250)、V1 = 20 / (s + 1250)、V2 = 80 / (s + 1250)
21. 有一 RLC 串聯電路，R = 90 Ω，L = 32 mH，C = 5 μF，串聯於Vs=750cos(5000t+30°)電壓源兩端，請問該電路之電流 is 為何？ (A) 5cos(5000t-30° ) A (B) 5cos(5000t+53.07° )A (C) 5cos(5000t+ 30°  )A (D) 5cos(5000t-23.13° ) A

22. 如右圖所示之電路圖，請問a、b之間的戴維寧等效電壓(Vth)及阻抗(Zth)分別為何？
(A) Vth = 10∠45° V、Zth = 5 - j5 Ω (B) Vth = 10∠-45° V、Zth = 5 + j5 Ω (C) Vth = 5∠45° V、Zth = 5 + j5 Ω (D) Vth = 5∠-45° V、Zth = 5 - j5 Ω

23. 假設一拉氏函數為，請利用反拉氏轉換求出 f(t) 為何？ (A) (B)(C)(D)

24. 如右圖所示之電路圖，下列何者為該電路之轉移函數 ？(A)(B) (C) (D)

25. 如右圖所示之雙埠電路圖，下列何者為該電路之 z 參數值？
(A) z11 = 5 Ω、z21 = 7.5 Ω、z22 = 10 Ω、z12 = 10 Ω (B) z11 = 10 Ω、z21 = 10 Ω、z22 = 12.5 Ω、z12 = 15 Ω (C) z11 = 10 Ω、z21 = 7.5 Ω、z22 = 9.375 Ω、z12 = 7.5 Ω (D) z11 = 5 Ω、z21 = 12.5 Ω、z22 = 9.375 Ω、z12 = 7.5 Ω
26. 霍爾效應(Hall Effect)使用在半導體測試中，主要用來決定下列何者？ (A)半導體內電流 (B)半導體型式(n或p) (C)半導體內磁場 (D)半導體溫度

27. 有一理想矽質 PN 接面的二極體，在溫度為 18 °C時(VT = 25 mV)，其逆向偏壓的飽和電流為 IS = 2 ✖10-14 A 且 n = 1，請問在順向偏壓 +0.6 V時的電流值為何？ (A) 0.53 mA (B) 1.06 mA (C) 1.44 mA (D) 2.88 mA
28. 有關 PN 接面的二極體，下列敘述何者有誤？ (A)矽二極體的障壁電壓(Barrier Potential)較鍺二極體高 (B)二極體加順向偏壓後，空乏區變窄 (C)溫度上升時，障壁電壓上升 (D)溫度上升時，漏電流上升

29. 如右圖所示之二極體電路圖，若各二極體均為理想二 極體，下列敘述何者有誤？
(A)當VI = 0 V時，VA = 4 V，VO = 4 V (B)當VI = 6 V時，VA = 6 V，VO = 6 V (C)當VI = 8 V時，VA = 8 V，VO = 8 V (D)當VI = 12 V時，VA = 12 V，VO = 12 V
30. 一般 BJT 電晶體作為線性放大器，電晶體必須施加適當偏壓，使工作點(Operation Point)落在 下列何種區域，可獲得較佳之放大倍率？ (A)作用區(Active Region) (B)反向作用區(Reversed Active Region) (C)截止區(Cut-off Region) (D)飽和區(Saturation Region)

31. 如右圖所示之 BJT 電晶體分壓器偏壓電路圖，若電晶體 βDC = 80， VBE = 0.7 V，請問 VC 為何？
(A) 2 V (B) 4.3 V (C) 5 V (D) 8.6 V
32. 有關 BJT 與 FET 之比較，下列敘述何者正確？ (A) BJT 製作面積比 FET 小 (B)一般來說，FET 作為放大器的雜訊較大 (C) BJT 是雙載子元件，FET 是單載子元件 (D) FET 不會發生爾利效應(Early Effect)
33. 有一 BJT 在環境溫度為 25 ℃時，具最大散熱功率 PDO 為 2 W，最大接面溫度為 150 ℃，請問 當環境溫度上升至 50 ℃時，可安全散熱之最大功率為何？ (A) 1.2 W (B) 1.6 W (C) 2 W (D) 2.4 W

34. 有關如何有效降低增強型 NMOS 電晶體的 VT (Threshold Voltage)值，下列敘述何者正確？ (A)降低基體(Substrate)的濃度(NA) (B)降低源極(Source)區域的濃度(ND) (C)降低汲極(Drain)區域的濃度(ND) (D)降低閘極(Gate)區域的ɛox/tox(ɛox：矽氧化層的電容介電係數；tox：矽氧化層的厚度)
35. 有關 MOSFET 之敘述，下述何者有誤？ (A)增強型 n 通道 MOSFET 之臨界電壓值為正 (B)增強型 p 通道 MOSFET 之VGS若接正電壓，則無法建立通道 (C)空乏型 n 通道 MOSFET 之VGS可接正電壓或負電壓 (D)空乏型 MOSFET 本身結構中並無預設通道存在

36. 有關 JFET 自給偏壓(Self-Bias)電路，若希望工作點(Operating Point)設定在轉換特性曲線的中點，意即 ID = IDSS，下列哪一種方式可達成？ (A) VGS = VGS(off) ⁄ 2 (B) VD = VDD ⁄ 2 (C) VGS = VGS(off) ⁄ 3.4 (D) VD = VDD ⁄ 3.4
37. 有一空乏型 n 通道 MOSFET，Kn ' W L = 2 mA V2 ⁄ ⁄ ，Vt = -3 V，其源極與閘極均接地。下列敘述何者有誤？(忽略通道長度調變效應) (A)當VD = 0.1 V，操作區為三極管區(Triode Region)，ID = 0.59 mA (B)當V D = 1 V，操作區為三極管區(Triode Region)，ID = 5 mA (C)當VD = 3 V，操作區為飽和區(Saturation Region)，ID = 9 mA (D)當VD = 5 V，操作區為飽和區(Saturation Region)，ID = 10 mA
38. 有關 MOS 電流鏡和 BJT 電流鏡的比較，下列敘述何者有誤？(A) MOS 電流鏡無 β 效應(有限 β 值效應) (B)通常 MOS 電流鏡的VOmin = VGS − Vt = VOV比 BJT 電流鏡的VOmin = VCEsat大 (C) MOS 電流鏡 ro 的影響比 BJT 電流鏡小(有限 ro 值效應) (D) Wilson 電流鏡的電路可降低 BJT 電流鏡有限 β 值效應及增加輸出電阻值

39. 如右圖所示之主動負載 CE 放大器，定電流源 I 由一 PNP 電晶體組成。令 I ＝ 0.2 mA，兩電晶體之 |VA| ＝ 40 V，β ＝ 200，VT = 25 mV，下列敘述何者有誤？
(A) Ri = 25.13 KΩ (B) ro = 400 KΩ (C) gm = 8 mA / V (D) 電壓增益 Av 為 -800

40. 如右圖所示之電流轉換器電路圖，所有電晶體 β = 80，假設二極體與電晶體飽和電流 IS 相同，VT = 25 mV，n = 1，VS = 2 V ，R = 1 KΩ，請問 Io 為何？
(A) 1.93 mA (B) 1.95 mA (C) 1.97 mA (D) 1.99 mA
41. 有一個一階運算放大器，其直流增益為 106 ，且有一極點於 10 rad/s 時，零點為無窮大，若使用電阻將其組成非反向放大器，直流增益為 100，請問非反向放大器之極點為何？ (A) 10 rad/s (B) 102 rad/s (C) 105 rad/s (D) 106 rad/s
42. 請問下列多級放大器耦合類別中，最佳低頻響應為何？ (A)電阻電容耦合 (B)直接耦合 (C)變壓器耦合 (D)電感耦合

43. 如右圖所示之簡單音頻放大器電路圖，若要得到較低的轉角頻 率 fL = 50 Hz，請問 C 耦合電容值為何？
(A) 0.0191 μF (B) 0.0477 μF (C) 0.191 μF (D) 0.477 μF
44. 有關負回授與非負回授運算放大器之比較，下列敘述何者有誤？ (A)負回授運算放大器輸入與輸出電壓呈現 180°反相 (B)負回授運算放大器可提高閉迴路電壓增益 (C)負回授運算放大器可依需求調整電路以達到控制輸入、輸出阻抗之目的 (D)負回授運算放大器可得到較大的頻寬

45. 如右圖所示之並聯-串聯式(Shunt-Series)負回授放大電路，電晶體參數 gm1 = gm2 = 6 mA/V，若忽略爾利效應(Early Effect)及基體效應 (Body Effect)，電阻 RS = RD = 10 KΩ 及 RF = 80 KΩ，請問電流放大倍數 Af = Io / Is為何？
(A) -5.9 (B) -8.9 (C) -12.9 (D) -15.9

46. 如右圖所示之 A 類放大電路，能有最大功率輸出時(即 Q 點位 於負載線中間處)，請問電阻值 RB約為多少？
(A) 23.1 kΩ (B) 34.6 kΩ (C) 51.9 kΩ (D) 69.2 kΩ
47. 設計一個哈特萊振盪器(Hartley Oscillator)，振盪頻率為 100 kHz，電感 L1 = L2 = 0.2 mH，請問電容 C 為何？ (A) 6.33 nF (B) 12.67 nF (C) 25.33 nF (D) 500 nF

48. 有一由運算放大器及 3組 RC 電路組成之相移振盪器，假設所有電阻均為 R、所有電容均為 C，下列敘述何者有誤？ (A)因使用 3組 RC 電路，總相位移180° (B)須使用反相放大 (C)回授信號衰減為 (D)振盪頻率為
49. 兩端輸入的 CMOS XOR 邏輯閘，至少需由多少顆電晶體組成？ (A) 3 (B) 4 (C) 6 (D) 8
50. 有關 CMOS 反相器(Inverter)之功率消耗，下列敘述何者有誤？ (A)其動態功率消耗與頻率成正比 (B)其動態功率消耗與負載電容成正比 (C)其動態功率消耗與操作電壓一次方成正比 (D)切換過程可能形成導通電流之功率消耗

申論題 (0)