阿摩線上測驗
26. 在未外加偏壓的情況下，有關PN接面二極體空乏區之敘述，下列何者正確？
(A)P、N兩側空乏區的寬度，與其所摻雜的雜質濃度成正比
(B)矽質材料製成的二極體障壁電位比鍺質材料的二極體低
(C)所形成的障壁電位，在空乏區N側的電位比P側的電位低
(D)空乏區會抑制擴散電流
答案：登入後查看
統計： A(30), B(18), C(23), D(120), E(0) #3010858
統計： A(30), B(18), C(23), D(120), E(0) #3010858
詳解 (共 2 筆)
hchungw
#5848398
空乏區會抑制擴散電流。這是對的。當空乏區形成時，它將阻止電子和空孔的擴散，因此阻止了擴散電流的流動。
0
2