26. 關於p-n接面二極體(p-n junction diode)之敘述，下列何者有誤？
(A)開路狀態下，空乏區(Depletion region)的寬度會較深入摻雜濃度低的一邊
(B)逆向偏壓時，空乏區所形成的電容變大
(C)順向偏壓時，電流與電壓呈指數關係
(D)多數載子之移動形成擴散電流

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統計： A(36), B(145), C(27), D(27), E(0) #2516452

詳解 (共 3 筆)

#5193512

關於p-n接面二極體(p-n junction diode)之敘述

(A)開路狀態下，空乏區(Depletion region)的寬度會較深入摻雜濃度低的一邊

(C)順向偏壓時，電流與電壓呈指數關係

(D)多數載子之移動形成擴散電流

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#6328045


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#5195406
逆偏時，空乏區變大。
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