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國營事業◆1.電路學 2.電子學
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110年 - 110 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機(一)、電機(二)、儀電:1.電路學 2.電子學#103646
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試題詳解
試卷:
110年 - 110 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機(一)、電機(二)、儀電:1.電路學 2.電子學#103646 |
科目:
國營事業◆1.電路學 2.電子學
試卷資訊
試卷名稱:
110年 - 110 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機(一)、電機(二)、儀電:1.電路學 2.電子學#103646
年份:
110年
科目:
國營事業◆1.電路學 2.電子學
35. FET 場效電晶體相較於 BJT 電晶體的特性敘述,下列何者有誤?
(A) FET 是單極性裝置
(B) FET 具有高電流驅動能力
(C) FET 可作為對稱性的雙向開關
(D) FET 較無雜訊產生
正確答案:
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