題組內容

一、砷化鎵（GaAs）半導體在 T=300 K 之本質載子濃度 ni =1.8×106 cm-3，其施體雜質與受體雜質濃度分別為 ND=2×1016 cm-3 及 NA=0，且為完全解離。 假設電子與電洞之遷移率分別為 μn=8500 cm2/V-s 及 μp=400 cm2/V-s；單位 電量 q=1.6×10-19 C。試求：

(一)電子與電洞濃度分別為何？（10 分）