申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：113年 - 113 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#121484
科目：半導體工程
年份：113年
排序：0

三、p-n 接面二極體與蕭特基能障（Schottky barrier）二極體均可具有整流（rectification）功效。請輔以數學表示式說明影響上述兩者元件之「逆向飽和電流密度（reverse-saturation current density）」之因素分別為何？（20 分）