五、試就「加熱週期」、「加熱率」、「熱預算」、「製程產能」等四項因素，分別比較傳統爐管熱退火與快速熱退火（RTA）技術之差異？（20 分）

四、矽半導體 n 通道金屬-氧化物 -半導體場效電晶體（MOS-FET）之閘極長度 L = 1.25 μm、電子遷移率 μn = 650 cm2/V-s、臨界電壓 Vth = 0.65 V、閘極氧化層電容 Cox = 6.9 × 10-8 F/cm2，且測得在閘-源極偏壓 VGS = 5 V 之汲極飽和電流（ID, sat）值為 8 mA。試求閘極寬度（W）為何？（20 分）