題組內容

四、在反應離子蝕刻（reactive ion etch - RIE）製程中採用XeF2及Ar氣體進行Si之蝕刻，其 蝕刻速率為R，製程中含有化學蝕刻機制及物理蝕刻機制。

⑴請說明各氣體在蝕刻時分別之反應機制。（10 分）