題組內容

一、理想矽pn二極體，p區摻雜濃度Na = 8×1014 cm-3，n區摻雜濃度Nd = 4×1014 cm-3，矽之介 電係數ϵsi = 11.7 ϵo，其中ϵo = 8.85×10-14 F/cm，在p區之空乏區寬度為Wp，在n區之空乏 區寬度為Wn，常溫下 1 kT/q = 0.0259 V，矽之本質載子濃度為 ni = 1.5×1010 cm-3。

⑵在反偏壓VR = 3V之空乏區總寬度為W(3V)，在VR = 2V之空乏區總寬度為W(2V)，請 求出W(3V)/ W(2V) =？（10 分）