申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：101年 - 101 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#39986
科目：半導體工程
年份：101年
排序：0

題組內容

三、在金屬/氧化層/p型矽（MOS）元件中，已知氧化層SiO₂厚度為 5 nm，其介電係數ϵ _SiO2 = 3.9 ϵ_o，其中ϵ_o = 8.85×10^-14 F/cm，矽之介電係數ϵ_si = 11.7 ϵ_o，當加上負偏壓使該元件處於聚集區（accumulation region），氧化層之壓降為V_ox = -2 V。

申論題內容

⑶請求出在矽表面之電場強度E_s(V/cm) =？（7 分）