申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：101年 - 101 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#39986
科目：半導體工程
年份：101年
排序：0

四、在反應離子蝕刻（reactive ion etch - RIE）製程中採用XeF₂及Ar氣體進行Si之蝕刻，其蝕刻速率為R，製程中含有化學蝕刻機制及物理蝕刻機制。

⑵若只有XeF₂之蝕刻速率為Ra，只有Ar氣體時之蝕刻速率為R_b，請問R_a+R_b速率和與R何者較大？請說明理由。（10 分）