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半導體工程
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101年 - 101 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#39986
> 申論題
題組內容
四、在反應離子蝕刻（reactive ion etch - RIE）製程中採用XeF
2
及Ar氣體進行Si之蝕刻，其 蝕刻速率為R，製程中含有化學蝕刻機制及物理蝕刻機制。
⑵若只有XeF
2
之蝕刻速率為Ra，只有Ar氣體時之蝕刻速率為R
b
，請問R
a
+R
b
速率和 與R何者較大？請說明理由。（10 分）
相關申論題
⑴請求出Wp/Wn =？（10 分）
#121376
⑵在反偏壓VR = 3V之空乏區總寬度為W(3V)，在VR = 2V之空乏區總寬度為W(2V)，請 求出W(3V)/ W(2V) =？（10 分）
#121377
⑴現將射極接負電位，集極接正電位，基極開路（base open），請求出集射極間之 漏流ICEO =？（6 分）
#121378
⑵繪出在射極接負電位，集極接正電位，基極開路之偏壓下，少數載子濃度於射極 pE(x)、基極nB(x)、集極pC(x)之分布曲線示意圖。（7 分）
#121379
⑶在順向作用區時基極電流IB含有那些電流分量？請說明各別分量之成因與流向。 （7 分）
#121380
⑴繪出該偏壓下 MOS 元件之能帶示意圖（energy band diagram）。（6 分）
#121381
⑵請求出在矽半導體之淨電荷量Qs (C/cm2) = ？（7 分）
#121382
⑶請求出在矽表面之電場強度Es(V/cm) =？（7 分）
#121383
⑴請說明各氣體在蝕刻時分別之反應機制。（10 分）
#121384
五、在半導體製程中使用局部矽氧化（local oxidation of silicon - LOCOS）技術來做隔絕 用，請說明該製程步驟流程，並繪出SiO2形成後之輪廓示意圖。（20 分）
#121386
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