題組內容

五、對於一本質（Intrinsic）的矽半導體，進行淺層摻雜（Shallow doping）主要有擴散 與離子佈植兩種技術。

⑴請說明這兩種技術所得到的濃度對深度的分布（Depth profile）有什麼不同？（15 分）