申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：97年 - 97 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#39852
科目：半導體工程
年份：97年
排序：0

題組內容

五、對於一本質（Intrinsic）的矽半導體，進行淺層摻雜（Shallow doping）主要有擴散與離子佈植兩種技術。

申論題內容

⑴請說明這兩種技術所得到的濃度對深度的分布（Depth profile）有什麼不同？（15 分）